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搜尋關鍵字:記憶
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時段:13:40-16:50  ∣  星期:六  ∣  地點:台北市中正區  ∣  時數:24小時  ∣  難易度:進階
夏目 漱石 4.『作家の履歴書』成為有名作家們的心路歷程 荻原 浩  (著名作品《明日的記憶》,2017年秋ドラマ『ユニバーサル広告社』原作者) 5.『作家の口福』知名作家們的散文 ...
時段:13:40-16:50  ∣  星期:六  ∣  地點:台北市中正區  ∣  時數:小時  ∣  難易度:一般
論時事闡述個人觀感見解,卻發現辭彙背得不多,講不出來。那是因為越偏向中高級,就越容易忽略“由耳朵去記憶生字“及“由嘴巴唸去熟悉文型“的訓練。為幫助學員克服以往學習盲點,課程重心雖是以讀解文型為主,但會...
時段:18:40-21:50  ∣  星期:一  ∣  地點:台北市中正區  ∣  時數:24小時  ∣  難易度:進階
討論相關的內容 2. 複習N2‧N1文型 3. 學會日文論述文章的寫法,文章主要架構,演繹模式。 4. 用〝聽〞〝念〞的方式去記憶常用的辭彙與文型 5. 更加了解日本的深層文化面相關的知識
時段:09:00-12:10  ∣  星期:日  ∣  地點:台北市中正區  ∣  時數:24小時  ∣  難易度:進階
N1文型 3. 學會日文論述文章的寫法,文章主要架構,演繹模式。 4. 用〝聽〞〝念〞的方式去記憶常用的辭彙與文型 5. 更加了解日本的深層文化面相關的知識 【教材相關資訊 】 教養...
時段:13:40-16:40  ∣  星期:六  ∣  地點:台北市中正區  ∣  時數:24小時  ∣  難易度:進階
採聽說讀寫並進模式,教材搭配老師上課自製講義,幫助學生理解韓語句型文法,並結合適當的情境,便於學生記憶。 主要學習內容為習慣用語、連接助詞、常見句型的活用練習,學習方式將採聽說讀寫並進模式,期望...
時段:13:40-16:50  ∣  星期:六  ∣  地點:台北市中正區  ∣  時數:24小時  ∣  難易度:進階
採聽說讀寫並進模式,教材搭配老師上課自製講義,幫助學生理解韓語句型文法,並結合適當的情境,便於學生記憶。 主要學習內容為習慣用語、連接助詞、常見句型的活用練習,學習方式將採聽說讀寫並進模式,期望...
時段:09:00-12:10  ∣  星期:六  ∣  地點:台北市中正區  ∣  時數:24小時  ∣  難易度:一般
你認識的單字有限?單字背了又忘?使用時錯誤百出?這是不少學習者的共同困擾。這門課將教你如何正確的記憶單字,從音、義、詞性和用法四層面,透過「聲音對話→概念理解→熟悉用法」三步驟,循序漸進擴增字彙,擺...
時段:09:00-17:00  ∣  星期:六  ∣  地點:新竹市  ∣  時數:7小時  ∣  難易度:一般
1.介紹動態隨機存取記憶體的發展與挑戰 2.學習動態隨機存取記憶體元件單元之工作原理 3.學習動態隨機存取記憶體陣列電...
時段:09:00-16:00  ∣  星期:六  ∣  地點:新竹市  ∣  時數:6小時  ∣  難易度:一般
1.目前Flash元件面臨微縮的瓶頸,引入RRAM元件可以解決微縮問題,使製造廠商可以延續製程技術的發展。 2.使學員瞭解Flash元件的操作原理與可靠度,以及RRAM元件的電阻轉換特性、操作物理機...
時段:09:30-16:30  ∣  星期:二三  ∣  地點:新竹市  ∣  時數:12小時  ∣  難易度:一般
學員可從最重要且最普及的記憶體管理庫 (memory management libraries) 中獲得啟發與經驗,並從源碼分...
時段:18:30-21:30  ∣  星期:四  ∣  地點:新竹市  ∣  時數:18小時  ∣  難易度:一般
由於微影技術及物理極限,製程微縮將會遇到遇到瓶頸;另外一方面,隨著感測器技術的精進及記憶體頻寬的限制,精密異質系統整合需求也越來越大。為了解決上述的挑戰與需求,三維積體電路(3D ICs...
時段:18:30-21:30  ∣  星期:三  ∣  地點:新竹市  ∣  時數:3小時  ∣  難易度:一般
1. Understand the basic device physics of Flash memory devices. 2. Demonstrate a familiarity with m...
時段:09:00-16:00  ∣  星期:六  ∣  地點:新竹市  ∣  時數:18小時  ∣  難易度:進階
使用高階合成工具可使電路設計人員免於細節的訊號排程,同時可提高設計效率,讓設計人員專心於微架構的設計 (如管線設計、記憶體分割和資料排序等),進而快速產出符合各種指標的電路,如功率、效能、面積等考量。
時段:18:30-21:30  ∣  星期:二四  ∣  地點:新竹市  ∣  時數:15小時  ∣  難易度:進階
解傳統平面CMOS元件發展的瓶頸與解決方案,3D半導體元件結構發展趨勢,3D半導體元件技術在邏輯與記憶體晶片之發展現況,與新式節能元件之原理與發展。 目前主流的平面CMOS元件結構預測...
時段:09:00-12:00  ∣  星期:六  ∣  地點:新竹市  ∣  時數:12小時  ∣  難易度:一般
本課程將針對DRAM與Flash記憶體元件的製程整合、元件操作、物理機制、與未來挑戰作一個深入淺出的介紹,讓所有學員了解DRAM和Flash元件及製程技術並與實務作結合。
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